WI-ET28-L02 v3
Etch · 28nm L02 Layer · L02 식각 — RF Power 800W · 42초
PROCESS
Etch
PRODUCT
LP-28A-*
OWNER
박성훈
SIGNOFFS TODAY
8 개
Step 별 작업 지시 — 총 5단계
사인오프 필요 4
웨이퍼 적재 + recipe 확인
완료
운영자는 카세트에서 웨이퍼 25매를 적재하고, 시스템에 표시된 recipe(ET-28-L02)와 작업지시서가 일치하는지 확인한다.
체크 항목: recipe code 일치 / wafer count 25
완료 · 12:14 · 이주간
파라미터 검증 (RF Power · Pressure · Gas Flow)
완료
장비가 자동으로 제시하는 파라미터를 운영자가 시각적으로 확인하고 차이가 있을 시 supervisor 승인 후 진행.
체크 항목: RF=800W ±5 / P=50mTorr / Cl₂=80sccm
완료 · 12:18 · 이주간
3
에칭 진행 (42초)
진행 중
recipe에 따라 자동 진행. 운영자는 모니터를 통해 진행 상태와 알람 유무 확인.
체크 항목: 42초 ±2 / 알람 없음
4
CD 측정 (Critical Dimension)
metrology 장비로 5점 측정 후 in-spec 여부 확인.
체크 항목: CD 23.5–24.5nm
사인 필요
5
사인오프 + 다음 step 이송
운영자는 사인오프 후 다음 단계로 lot을 이송한다.
체크 항목: qty out 확인 / scrap 등록
사인 필요
권장 파라미터
Recipe
ET-28-L02
RF Power
800 W
Pressure
50 mTorr
Time
42 sec
Gas Flow Cl₂
80 sccm
Gas Flow Ar
30 sccm
Wafer Temp
60 °C
변경 이력
v3
RF Power 750 → 800W (수율 개선)
2026-04-23 · 박성훈
v2
체크 항목 강화 (CD 측정 필수화)
2026-02-08 · 박성훈
v1
초기 작성
2025-12-14 · 이주간
최근 사인오프
step 2 — 파라미터 검증
12:42 · 이주간 · L1A-2401-002
step 5 — 사인오프 완료
12:18 · 이주간 · L1A-2401-001
step 4 — CD 측정
11:48 · 박운영 · LM-2401-021
step 5 — 사인오프 완료
11:14 · 김현장 · L1B-2401-007